論理回路中の不揮発性記憶デバイスには、CMOS回路との整合性、微細化による性能向上、高速書き込み・読み出し性、および書き込み回数耐性などから、スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel Junction:MTJ)デバイスが最適なものと考えられているが、消費電力が大きく、課題となっていた。東北大学とNECは今回の成果を、12月5日~7日に米ワシントンDCにて開催されている半導体デバイス技術の国際学会「2011 IEEE International Electron Device Meeting」において発表した。 《冨岡晶》