東芝は世界で初めて、48層積層プロセスを用いた128ギガビット（16ギガバイト）のMLC3次元フラッシュメモリ「BiCS」を開発。26日よりサンプル出荷を開始した。 「BiCS」は世界初という48層積層プロレスを使ったフラッシュメモリ。現在主流となっている、シリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べた「NAND構造」ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造を持つ。 容量が大幅に増え、書き込み速度が高速化しただけでなく、書き換え寿命の信頼性向上も実現している。同社ではSSDなどへの搭載を見込んでいる。
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