東芝は4日、48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット（32ギガバイト）の3ビット／セル（TLC）3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の開発を発表した。9月からサンプル出荷を開始する。 「BiCS FLASH」は世界最先端の48層積層プロセスを用いることで、大容量化を実現した3次元（3D）構造のNANDフラッシュメモリ。回路技術やプロセスを最適化することで、現行の2次元（2D）NANDフラッシュメモリと比べ、大容量化に加え書き込み速度を高速化。また書き換え寿命も長寿命化するなど信頼性もより向上した。 本製品はSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードといったコンシューマ製品のほか、データセンター向けSSDなどエンタープライズ向けも展開していく予定だという。
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