エルピーダメモリは1日、半導体メモリDDR3 SDRAMの新製品として、25nmプロセス世代となる2ギガビットの「EDJ2104BFSE」（データ幅×4ビット）と「EDJ2108BFSE」（データ幅×4ビット）を発表した。7月末からサンプル出荷を開始している。 「EDJ2104BFSE」「EDJ2108BFSE」には、5月に同社が開発を完了した回路線幅25nmプロセス世代の超微細加工技術を採用。今回の製品化により、世界最小サイズのチップをうたう。従来の30nmプロセス世代の製品との比較で、消費電流を動作時で約15％、待機時で約20％削減。ピンあたりデータ転送レートは1,866Mbps以上とした。 2011年末までには、25nmプロセス世代で4ギガビットとなるDDR3 SDRAMの製品化を予定し、PCやサーバ向けに搭載される見込み。さらに、各種のモバイル機器向け同社製DRAMとなる「Mobile RAM」にも同世代プロセスを順次、展開していき、今後、携帯電話やスマートフォン、タブレット端末、薄型ノートPC、ゲーム機、薄型テレビ、セットトップボックス（STB）などにも順次、採用される見通しだとしている。
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