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インテルは5日、14nm（ナノ・メートル）プロセス技術を採用した第5世代インテルCoreプロセッサー・ファミリーを発表した。
米インテルは米国時間11日、最新のマイクロアーキテクチャーと14nm（ナノメートル）製造プロセス技術に関する詳細を公開した。
ルネサス エレクトロニクスは2月18日、回路線幅に28nm（ナノメートル：10億分の1メートル）プロセスを採用した、マイコン内蔵用フラッシュメモリ技術を世界で初めて開発したことを発表した。
インテルは24日、クアッドコア（4コア版）の第3世代インテル Coreプロセッサー・ファミリーを発表した。インテルの3次元トライゲート・トランジスター技術採用22nm（ナノメートル）プロセス技術を採用した世界初のプロセッサーとなる。
インテルは13日、ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）の新製品「インテルSSD 910シリーズ」を発表した。データセンター・ストレージとしての高い要求に対応できる処理性能、高耐久性、高信頼性が特長とのこと。
米インテルとマイクロン テクノロジー社は現地時間6日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル（nm）プロセス技術に基づく128ギガビット（Gb）および64ギガビットのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリを発表した。
エルピーダメモリは1日、半導体メモリDDR3 SDRAMの新製品として、25nmプロセス世代となる2ギガビットの「EDJ2104BFSE」（データ幅×4ビット）と「EDJ2108BFSE」（データ幅×4ビット）を発表した。7月末からサンプル出荷を開始している。
米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジー社は現地時間14日、NAND型フラッシュメモリーの製造に利用される、20nm（ナノメートル）プロセス技術を発表した。20nmプロセス技術は、8Gバイト（GB）の多値セル（MLC）NAND型フラッシュメモリを実現する見込みだ。
米インテルは19日、60億ドル～80億ドルを製造施設に投資し、オレゴン州に新たな製造技術開発施設（ファブ）を建設し、既存の4拠点を次世代の22ナノメートル（nm）プロセス製造技術に移行するなどの計画を発表した。
米インテルとマイクロン テクノロジーは現地時間17日、業界で最大容量・最小のNAND製品となる、25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用した3ビット／セルNAND型フラッシュメモリの出荷を発表した。
インテルは独時間5月31日、1秒あたり最大数兆回規模の計算処理を実現することが可能な“インテル メニー・インテグレーテッド・コア（MIC）アーキテクチャー”に基づいた新製品を投入する計画を発表した。
インテルは17日、データセンター向けとなる最新CPU「インテルXeonプロセッサー5600番台」を発表した。
米Intel（インテル）とMicron（マイクロン）は現地時間1日、世界初となる25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用したNAND技術を発表した。
インテルは24日、ノートPC向けのCPUとしてCore i7-920XM、Core i7-820QM、Core i7-720QMの3製品を発表。本日から発売を開始した。
インテルは21日、NAND型フラッシュ・メモリを採用したソリッド・ステート・ドライブ（SSD）の製造を、最先端の34nm（ナノメートル）プロセス技術による製造へ移行すると発表した。
松下電器産業は7月下旬より、通信機能とアプリケーション機能を低消費電力化技術と45ナノメートルプロセスで1チップに統合したUniPhierシステムLSI（UniPhier4MBB+、品番：MN2CS0038）のサンプル出荷を開始する。
米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジーは現地時間29日、業界初となる40nm（ナノメートル）以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリとして、多値セル技術を採用した34nmの32Gビット製品を発表した。
インテルは、モバイル機器向けCPU「Centrino Atom」の発表を記念して、搭載端末の斬新な利用モデルに関するアイデア募集および搭載端末の活用を促進するユニークなアプリケーション開発のコンテストを開催する。
ニコンは26日、インテルに製品とサービスの供給において優れた成績を収めた企業に与えられる「プリファード・クオリティー・サプライヤー賞」を受賞したと発表。
インテルは26日、サーバーおよびワークステーション向けの低消費電力が特徴のCPU「クアッドコア Xeon」のL5400番台の2製品「L5420」「L5410」を発表。
日立製作所と米IBMは10日、32ナノメートル以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を2年間にわたって共同で行うことで合意した。
インテルは19日、8コアを実現したハイエンド・ユーザー向けデュアルソケットExtremeデスクトップ・プラットフォームを発表。開発コードネームは「Skulltrail」。
NECは7日に、90ナノメートル（nm）世代の標準的なCMOS技術を用いて、実用レベルの高出力な60GHz帯送受信LSI技術を開発したことを発表した。
富士通研究所は4日に、90ナノメートル（nm）世代の標準CMOS技術を用いたミリ波帯高出力増幅器を開発したことを発表した。
