書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下を実証——産総研、強誘電体NANDフラッシュメモリー 1枚目の写真・画像 | RBB TODAY
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書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下を実証——産総研、強誘電体NANDフラッシュメモリー 1枚目の写真・画像

 産業技術総合研究所は19日、東京大学大学院工学系研究科竹内健准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。

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Fe-NANDフラッシュメモリーのためのFeFET光学顕微鏡写真 ゲート長3µm、ゲート幅50µm
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