東芝は7日、実用的な高速生成レートと高い信頼性を両立しながら、面積あたりの生成レートで世界最高性能の物理乱数生成回路技術を開発したと発表した。 同技術は、乱数源としてトランジスタの窒化シリコン膜が電子を捕捉・放出する際のノイズを利用する同社独自の小型素子を利用し、発生したノイズ信号を乱数に変換するデジタル変換回路に信号を効果的に増幅させる小型のA/Dコンバータを採用することで、回路全体を従来比で9割近く小型化するとともに、乱数の生成レートを実用的レベルである2.0Mbits/sに高速化したもの。生成した乱数は、-50度から100度の範囲で規則性のないことを確認するための標準統計テストを実施し、物理乱数の信頼性課題となる温度依存性がないことも確認されている。 なお、同技術は情報通信研究機構(NICT)による、民間基盤技術研究促進制度を利用した研究課題「高度情報セキュリティに向けた真性乱数生成集積回路の研究開発」の一環として開発されたものだ。
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