富士通研究所は14日、次世代不揮発性メモリのひとつ、ReRAM（抵抗メモリ）の低消費電力化と抵抗値のばらつきを低減することに成功したと発表した。 発表によると、ReRAM素子の構造を従来の酸化ニッケル膜からチタンを添加した酸化ニッケル膜に変更し、トランジスタによる電流制限をかけることにより、メモリ消去時に必要となる電流を100マイクロアンペア以下に低減したほか、従来の約1万倍となる5ナノ秒での高速消去時の抵抗値のばらつきを約10分の1にまで抑えている。 同社では、今後もフラッシュメモリ代替としてReRAM素子の微細加工技術の開発、読み出し・書き込み回路の設計などReRAMの研究開発を推進するとしている。
