2011年12月の半導体、集積技術に関するニュース一覧

ブロードバンド 2011.12.7(Wed) 13:15

産総研、シリコンに代わる素材「グラフェン」の機構を理論的に解明……次世代半導体デバイスなどに期待

　産業技術総合研究所（ナノシステム研究部門の大谷 実 研究グループ長ら）は7日、「グラフェン」と絶縁体の基板として使われる「酸化シリコン」基板の相互作用を詳細に調べ、特定条件下で、グラフェンが非常に強く基板に吸着されることを発見したことを発表した。