ローム、EVなどの電力損失を大幅低減できるSiCトレンチMOSFETを開発

エンタープライズ企業

2011年12月5日（月） 15時44分

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ロームは、世界最小の超低オン抵抗を実現した超低損失SiCトレンチMOSFETを開発した。

今回の開発成果は、従来のSi-MOSFETに比べて20分の1以下、量産化されているSiCデバイスに比べても7分の1以下のオン抵抗となり、電力送電網の電力変換から、パソコンやデジタル家電の電源、電気自動車（EV）、鉄道車両まで、身の回りのあらゆる所の電力変換器で発生している電力損失（導通損失）を20分の1以下にまで大幅低減できる可能性があるとしている。

エネルギー問題、地球環境問題の解決にも大きく貢献するための電力の低損失化を実現するデバイスとして、2013年度中を目途にSiCトレンチMOSFETの実用化を目指す。

今回の成果は12月5日～7日に米国ワシントンで開催されるIDEM（国際電子デバイス会議）で発表する予定。

《編集部@レスポンス》